1. 晶圆生长：通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉 积（PVD）等方法，在衬底上通过不断加料、热处理等方式 逐渐生长出晶圆。

  2. 退火：将生长出的晶圆加热至高温，以去除内部的应力和缺 陷，并提高晶体品质。

  3. 切割：将晶圆切割成标准的圆片，通常以钻孔和砂轮为主。 在切割过程中需要控制切割角度和切割深度等参数，以确保每 个圆片的质量和规格一致。

  4. 去胶：去除表面上的胶层，通常使用化学物质如酸、氢氟酸 等，也能够正常的使用激光去胶等方法。

  5. 清洗：将切割后的圆片进行清理洗涤，去除表面的污染和残留物， 通常使用气流除尘和化学溶解等方法。

  6. 处理：对圆片进行各种处理，如刻蚀、离子注入、薄膜沉积 等，以制备出各种器件和元件。

  7. 封装：将制备好的器件和元件封装成完整的芯片，以保护其 内部结构和电路，并方便连接和使用。

  8、 用热磷酸去除氮化硅层，混杂磷 (P5) 离子，形成 N 型阱

  10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，而后 LPCVD 堆积一层氮化硅

  8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 （P5) 离子，形成 N 型阱

  10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅

  用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路 图案的图案晶圆成品而言，则有必要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说,图案晶圆检测系 统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线， 并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。

  晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例来说:以 0.2 微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的 64M 微量。

  1. 缺陷检查 Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主如果微尘粒子、刮痕、残留物 等成绩.此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则须要进 行深次微米范围之瑕疵检测.普通来说，图案晶圆检测零碎系以白 光或雷射光来照耀晶圆概况.再由一或多组侦测器接收自晶圆概 况绕射出来的光线，并将该影象交由高功能软件进行底层图案清 除，以辨识并发现瑕疵. 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检验测试. 二、 IC 封装 1. 构装（Packaging） IC 构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种， 而目前商业利用上则以塑胶构装为主.以塑胶构装中打线接合为 例，其步调依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、 焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字 （mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等. (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒 （die）切割分离.举例来说：以 0.2 微米制程技术生产，每片八寸 晶圆上可建造近六百颗以上的 64M 微量.

  一、 IC 检测 1. 缺陷检查 Defect Inspection 2. DR-SEMDefect Review Scanning Electron Microscopy 用来检测出晶圆上是否有瑕疵;主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题..此外;对 已印有电路图案的图案晶圆成品而言;则有必要进行深次微米范围之瑕疵检测..一 般来说;图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面..再由一或多组侦 测器接收自晶圆表面绕射出来的光线;并将该影像交由高功能软件进行底层图案 消除;以辨识并发现瑕疵.. 3. CD-SEMCritical Dimensioin Measurement 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测.. 二、 IC 封装 1. 构装 Packaging IC 构装依使用材料可分为陶瓷 ceramic 及塑胶 plastic 两种;而目前商业应用上则 以塑胶构装为主..以塑胶构装中打线接合为例;其步骤依序为晶片切割 die saw、 黏晶 die mount / die bond、焊线 wire bond、封胶 mold、剪切/成形 trim / form、 印字 mark、电镀 plating 及检验 inspection 等.. 1 晶片切割 die saw 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒 die 切割分离..举例 来说：以 0.2 微米制程技术生产;每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的 64M 微 量..

  近年来，随着半导体技术的持续不断的发展，晶圆制造技术也得到了极 大的提升。然而，晶圆在制作的完整过程中难免存在一些缺陷，这些缺陷可 能会对晶体管的性能产生严重影响，因此在生产的全部过程中有必要进行缺陷 检测，以确保晶圆的质量。

  晶圆缺陷检验测试流程通常包括以下几个步骤： 1. 光学检测：通过显微镜等设备对晶圆进行光学检测，发现缺 陷如裂纹、污染、缺陷等。 2. 表面检测：使用扫描电子显微镜等设备对晶圆表面进行检测， 以发现表面缺陷。 3. X 射线检测：利用 X 射线对晶圆进行检测，可以发现晶体管 内部的缺陷，如杂质、晶粒缺陷等。 4. 电学检测：通过对晶圆进行电学测试，可以发现电学性能上 的缺陷，如漏电、短路等。 5. 数据分析：对检测到的缺陷数据进行分析，评估晶圆的质量， 并进行后续处理。 总的来说，晶圆缺陷检验测试流程是一个非常复杂的过程，需要多种 技术手段的支持，并且需要专业的技术团队进行操作。只有通过科学 的检测流程，才能保障晶圆的质量，确保生产出优质的半导体产品。